[Xiamen Powerway] GaN Templates

[Xiamen Powerway] Products

[Xiamen Powerway] GaN Templates

Description:

Xiamen Powerway의 GaN Template은 gallium nitride(GaN), aluminum nitride(AIN), aluminum gallium nitride(AlGaN) 및 gallium nitride(InGaN)의 결정층으로 구성되며, 사파이어의 에피층과 MOS-based devices로 제작하기 위한 전자 등급으로 구성됩니다. Xiamen Powerway의 Gallium Nitride Template은 20~50% 더 짧은 epitaxy cycle times과 더 높은 품질의 epitaxial device layers를 가능하게 하며, 구조적 품질과 열전도율이 높아 비용, 수율 및 성능 면에서 디바이스를 개선할 수 있습니다.
 

Specification:

 

Item	PAM-2inch-GaNT-N
Conduction Type	N type
Size	2'(50mm) dia
Dopant	Si doped or low doped
Thickness	4um, 20um, 30um, 50um, 100um
Dislocation Density	<1x108cm-2
Substrate Structure	GaN on Sapphire (0001)
Usable Area	≥ 90 %

 

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